近日，無(wú)錫市場(chǎng)景創(chuàng)新大會(huì)隆重舉行。會(huì)上，無(wú)錫市發(fā)展和改革委員會(huì)圍繞科技創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展等五大重點(diǎn)場(chǎng)景應(yīng)用方向發(fā)布了《2025 年無(wú)錫市場(chǎng)景清單(第一批)》。廣電計(jì)量MOS FET/IGBT 動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)解決方案成功入選其中，這無(wú)疑是對(duì)廣電計(jì)量技術(shù)實(shí)力與行業(yè)貢獻(xiàn)的高度認(rèn)可。

無(wú)錫市場(chǎng)景創(chuàng)新大會(huì)
 

　　在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，準(zhǔn)確測(cè)量MOS FET/IGBT 的動(dòng)態(tài)參數(shù)對(duì)器件開(kāi)關(guān)性能起決定性作用。廣電計(jì)量MOS FET/IGBT 動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)解決方案致力于對(duì)器件在不同環(huán)境下特性的測(cè)試，可以通過(guò)修改驅(qū)動(dòng)模塊和夾具模塊的搭建，解決在整機(jī)系統(tǒng)進(jìn)行動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試時(shí)無(wú)法對(duì)多樣功率器件模塊測(cè)試問(wèn)題，使測(cè)試平臺(tái)可以兼容更多封裝類(lèi)型的模塊功率器件測(cè)試。這種方法可以根據(jù)樣品封裝進(jìn)行調(diào)整，適用性更廣，且分模塊搭建可以降低搭建成本，也更方便調(diào)整由于接線問(wèn)題導(dǎo)致的測(cè)試波形不穩(wěn)定。這一系統(tǒng)的創(chuàng)新性和實(shí)用性，使其成為眾多企業(yè)在相關(guān)測(cè)試環(huán)節(jié)，也正是入選清單的關(guān)鍵技術(shù)因素。
 

　　廣電計(jì)量功率半導(dǎo)體及第三代半導(dǎo)體測(cè)試分析服務(wù)
 

　　面對(duì)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)雜工藝與高精尖檢測(cè)需求，公司不斷加大研發(fā)投入，引進(jìn)國(guó)際前沿檢測(cè)設(shè)備，具備功率半導(dǎo)體器件的全參數(shù)測(cè)試能力。
 

　　●針對(duì)以SiC為代表的功率器件高壓、高溫、大功率等特點(diǎn)，廣電計(jì)量采用全新的硬件設(shè)計(jì)方案及制板工藝，成功實(shí)現(xiàn)高達(dá)1000V以上的HV-H3TRB和HV-HAST和高達(dá)225℃的HTRG和HTGB試驗(yàn)?zāi)芰?，充分?yàn)證第三代半導(dǎo)體功率器件的極限工作穩(wěn)定性。
 

　　●針對(duì)SiC、GaN高速工作的應(yīng)用場(chǎng)景，現(xiàn)行的基于Si器件的測(cè)試技術(shù)及設(shè)備已難以有效模擬出器件偏置下的應(yīng)力狀態(tài)的工作壽命。廣電計(jì)量積極開(kāi)發(fā)DRB、DGS、AC-HTC、DHTOL等各項(xiàng)動(dòng)態(tài)可靠性驗(yàn)證技術(shù)，充分驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體功率器件的實(shí)際工作穩(wěn)定性。
 

　　●為國(guó)內(nèi)三分之二的功率器件企業(yè)提供參數(shù)測(cè)試、可靠性試驗(yàn)及失效分析。
 

　　●第三代半導(dǎo)體檢測(cè)領(lǐng)域合作客戶超過(guò)80家，樣品數(shù)量三十余萬(wàn)件。